• 易失性存储DRAM详解
• DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。DRAM存储原理DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”，则电容被充电:若写入位为“0”，则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电，则该位为“1”;若电容没...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 易失性存储DRAM,易失性存储器,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-09 15:26:00

• 嵌入式STT-MRAM效应与流致反转
• 最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有确定的磁场方向，它的磁矩在这里被称为“自旋转移力矩”或简称“自旋转矩”，即前面提到的STT。自旋极化电子流可以代替电磁线圈使微磁粒的磁场方向发生反转，因此这种方式也被称为流致反转。STT可视为相反于巨磁阻的效应，显示的是电流通过多层膜结构后改变多层膜的磁化特性。当具高密度的自旋极化电流通过铁磁金属，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,SRAM,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-03 14:37:00

• 超低功耗MCU如何降低功耗
• 低功耗是MCU的一项非常重要的指标，比如某些可穿戴的设备，其携带的电量有限，如果整个电路消耗的电量特别大就会经常出现电量不足的情况。平时我们在做产品的时候，基本的功能实现很简单，但只要涉及到关于低功耗的问题就比较棘手了，比如某些可以低到微安级的MCU微控制器，而自己设计的低功耗怎么测都是毫安级的，电流竟然能够高出标准几百到上千倍，遇到这种情况干万不要怕，只要认真你就赢了。接着仔细分析一下这其中的原因。(1）掐断外设命脉，关闭外设时钟。先说最直观的，也是工程师都比较注意的方面，就是关闭MCU微控制器的外设时钟，对于现在市面上出现的大多数的MCU微控制器，其外设模块都对应着一个时钟开关。只需要打...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 超低功耗MCU,MCU,单片机,低功耗MCU 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-12 14:07:00

• DDR5SDRAM规格发布：大容量满足极速
• 半导体工程组织JEDEC为动态随机存取存储器（DRAM）设定了标准，该组织上周发布了最终的JESD79-5DDR5规范。新型存储器是其每引脚数据传输速度的两倍，其存储设备的容量增加了四倍，降低了工作电压，并引入了多种方法来提高瘦节点上DRAM的可靠性-并降低功耗。JEDEC说，DDR5SDRAM将从明年开始用于即将推出的客户端PC和服务器。SDRAM的发展通常遵循与CPU发展相同的方向。如今微处理器致力于提高内核数，提高每个内核的性能以及提高电源效率，这对系统内存提出了要求。先进的内核需要足够的内存带宽，而此类内核的负载则需要高DRAM容量（和高带宽），但是在内存控制器的功能，信号完整性以及...
• 所属专栏： 技术交流 标签： DDR5 SDRAM,DDR5,SDRAM,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-27 15:35:00

• 常见存储器分类
• 存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)，两者的功能有较大的区别，因此在描述上也有所不同。存储的基础部分分为ROM和RAM。常见存储器分类图示RAM：随机存取存储器是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 存储器,SRAM,SDRAM,DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-15 12:00:00

• SDRAM简要历史
• 几乎每个人都知道，生产的大部分DRAM最终都将用在台式机和笔记本电脑中。实际上生产的所有DRAM中约有90％用于计算机，而剩下的10％作为方形钉敲入圆孔中。越来越多的SoC设计需要某种形式的外部存储器的接口。现代化的DDR2SDRAM具有供电安全性，高存储容量，低成本和合理的通道带宽的特性，但具有笨拙的接口和复杂的控制器问题。结合内部DRAM阵列产生的独特命令结构，SoC设计人员面临着将现代DRAM接口纳入其设计的艰巨任务。SDRAM的简要历史在过去的15年中，商品DRAM的发展使接口峰值带宽增加了2000％以上。尽管没有人能够改变物理学的基本原理并对基本随机行访问的延迟进行类似的改进，但引...
• 所属专栏： 谈天说地 标签： SDRAM,DRAM,存储器,DDR2 SDRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-14 15:56:00

• 不同类别存储器基本原理
• 存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。计算机的存储器可分成内存储器和外存储器。内存储器在程序执行期间被计算机频繁地使用，并且在一个指令周期期间是可直接访问的。外存储器要求计算机从一个外贮藏装置例如磁带或磁盘中读取信息。存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAMcell结构由1个MOS和1个电容组成，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,DRAM,Flash,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-19 15:47:00

• 美光低功耗DDR5DRAM芯片助力5G网络
• 内存和存储解决方案领先供应商美光科技与摩托罗拉公司联合宣布，摩托罗拉新推出的新款motorolaedge+智能手机已搭载美光的低功耗DDR5DRAM芯片，为用户带来完整的5G功能体验。美光科技与摩托罗拉紧密协作，依托高带宽的内存存储及顶级处理性能，使edge+手机能充分利用5G网络的速度。美光LPDDR5DRAM内存能满足多个行业对内存更高性能和更低功耗日益增长的需求，这不仅仅局限于移动行业，还包括汽车、个人电脑以及为5G和AI应用打造的网络系统。美光LPDDR5DRAM内存具备以下功能和优势：●带宽提高50％以上，提升了下一代旗舰智能手机的性能（例如5G和AI层面）；●与LPDDR4相比，...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： DDR5 DRAM,DRAM,片DRAM低功耗DDR5 DRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-26 15:55:00

• 如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器
• 一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间数据不会丢失。SRAM是一种具有静止存取功能内存的静态随机存储器，不需要进行刷新电路便能保存它内部存储的数据。DRAM即是动态随机存储器,动态随机存储器采用动态存储单元的随机存储器，简称DRAM或是动态RAM。SRAM则不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即刻会消失，因此SRAM具有相对较高的性能，但是SRAM也有缺点，即它的集成度较低，功耗较DR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,动态随机存储器,DRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-12 14:53:00

• TI德州低功耗CC2541芯片简介
• CC2541是一款针对低能耗以及私有2.4-GHz应用的功率优化的真正片载系统(SoC)解决方案。它使得使用低总体物料清单成本建立强健网络节点成为可能。CC2541将领先RF收发器的出**能和一个业界标准的增强型8051MCU、系统内可编程闪存存储器、8-KBRAM和很多其它功能强大的特性和外设组合在一起。CC2541非常适合应用于需要超低能耗的系统。这由多种不同的运行模式指定。运行模式间较短的转换时间进一步使低能耗变为可能。如果CC2540上的USB未启用并且CC2541上的I2C/额外I/O未启用，那么CC2541与CC2540在6-mmx6-mm方形扁平无引脚(QFN)40封装内引脚兼...
• 所属专栏： 代售推荐 标签： cc2541 低功耗 发帖人：dnsj052 发帖时间：2018-01-27 10:14:00